جدول المحتويات:
التعريف - ماذا تعني ذاكرة تغيير الطور (PCM)؟
ذاكرة تغيير الطور (PCM) هي نوع من ذاكرة الوصول العشوائي غير المتطايرة التي تخزن البيانات عن طريق تغيير حالة المواد المستخدمة ، وهذا يعني أنها تتغير ذهابًا وإيابًا بين الحالات غير المتبلورة والبلورية على المستوى المجهري. PCM يعتبر التكنولوجيا الناشئة.
PCM هو 500 إلى 1000 مرة أسرع من ذاكرة الفلاش العادية. يمكن أن توفر تقنية PCM أيضًا تخزينًا غير متقطع عالي الفعالية من حيث التكلفة وعالي الحجم وعالي الكثافة على نطاق لا مثيل له.
وتُعرف ذاكرة تغيير الطور أيضًا بأنها ذاكرة الوصول العشوائي المثالية و PCME و PRAM و PCRAM وذاكرة موحدة بيضوية وذاكرة الوصول العشوائي للكالكوجينيد و C-RAM.
تيكوبيديا تشرح مرحلة تغيير الذاكرة (PCM)
في الحالة غير المتبلورة (أو المرحلة المختلة) ، تتمتع المادة في ذاكرة PCM بمقاومة كهربائية عالية. في الحالة البلورية (أو المرحلة المطلوبة) ، لديها مقاومة أقل. وبالتالي ، يُسمح بتشغيل التيار الكهربائي وإيقاف تشغيله لتمثيل الحالات الرقمية العالية والمنخفضة.
هذه واحدة من العديد من تقنيات الذاكرة التي تنافس على استبدال ذاكرة الفلاش ، والتي لديها عدد من المشاكل. يمكن أن توفر ذاكرة تغيير الطور أداءً أعلى بكثير حيث تكون الكتابة السريعة مطلوبة. تتحلل ذاكرة الفلاش أيضًا مع كل موجة من الجهد. أجهزة الذاكرة المتغيرة الطور تتحلل أيضًا ، لكن بمعدل أبطأ بكثير. ومع ذلك ، فإن العمر الافتراضي لذاكرة تغيير الطور محدود بهيكل بيانات يشبه الأشجار يُطلق عليه شجرة لاحقة عامة ، وتمدد حراري أثناء البرمجة ، وترحيل المعادن ، وآليات أخرى غير معروفة.
أيضًا ، بخلاف ذاكرة الفلاش ، لا يتطلب PCM خطوة "محو" منفصلة عند تغيير المعلومات المخزنة من واحد إلى صفر أو صفر إلى واحد. وبالتالي ، فإن PCM قابلة للتغيير بعض الشيء وأسرع بكثير في قراءة البيانات وكتابتها.
تقوم العديد من المؤسسات المعروفة ، مثل IBM و Intel و Samsung وما إلى ذلك ، بإجراء أبحاث في تكنولوجيا PCM. يعتقد بعض خبراء الصناعة أن PCM قد تكون تقنية تخزين البيانات في المستقبل ، مع استبدال محركات الأقراص الصلبة بمحركات الأقراص الصلبة.
