ما هي ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (reram)؟ - تعريف من techopedia

التعريف - ماذا تعني ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (ReRAM)؟

ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (RRAM / ReRAM) هي نوع جديد من الذاكرة المصممة لتكون غير متقلبة. إنه قيد التطوير من قبل عدد من الشركات ، وبعضها قد حصل بالفعل على براءة اختراع لإصداراتها الخاصة من التكنولوجيا. تعمل الذاكرة عن طريق تغيير مقاومة المواد العازلة الخاصة التي تسمى المقاوم المقاوم للذاكرة والتي تختلف مقاومتها اعتمادًا على الجهد المطبق.

تشرح Techopedia ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (ReRAM)

RRAM هو نتيجة لنوع جديد من المواد العازلة التي لا تتضرر بشكل دائم وتفشل عند حدوث انهيار عازل ؛ بالنسبة للذاكرة التذكارية ، فإن الانهيار العازل مؤقت وقابل للعكس. عندما يتم تطبيق الجهد بشكل متعمد على ذاكرة ، يتم إنشاء مسارات موصلة مجهرية تسمى خيوط في المادة. هذه الشعيرات ناتجة عن ظواهر مثل هجرة المعادن أو حتى العيوب الجسدية. يمكن كسر خيوط وعكسها عن طريق تطبيق الفولتية الخارجية المختلفة. هذا الخلق وتدمير الخيوط بكميات كبيرة هو الذي يسمح بتخزين البيانات الرقمية. تشمل المواد التي لها خصائص الذكريات أكاسيد التيتانيوم والنيكل ، وبعض الشوارد ، ومواد أشباه الموصلات ، وحتى بعض المركبات العضوية التي تم اختبارها للحصول على هذه الخصائص.

الميزة الأساسية لـ RRAM على التكنولوجيا الأخرى غير المتطايرة هي سرعة التحويل العالية. نظرًا لنحافة أدوات التذكير ، تتمتع بإمكانية كبيرة لكثافة تخزين عالية وسرعات أكبر للقراءة والكتابة ، واستخدام أقل للطاقة ، وتكلفة أرخص من ذاكرة الفلاش. لا يمكن أن تستمر ذاكرة الفلاش في التوسع بسبب حدود المواد ، وبالتالي فإن RRAM ستحل محل ذاكرة الفلاش قريبًا.